场效应管的类型及应用场景都有哪些？
时间：05-10
场效应管（Field Effect Transistor, FET）简介：
场效应管是一种晶体管器件，具有电压控制电流放大功能的特点。它广泛应用于电子电路、计算机及通信等领域中作为开关和放大器元件使用。根据其结构特点和工作原理，可以分为结型场效应管 (JFET) 和绝缘栅双极性场效应管 (IGBT)。下面将详细介绍它们的类型和应用场合:
1. 结型场效应管(JFET) : JFET一般有三只电极——漏极D、源极S和栅极G；其中，G极与D极之间有一个PN结。JFET属于单向导电性半导体器件，导通时电阻较大且呈非线性特性;截止时有反向泄漏电流存在但较小。应用场景有音频放大器和电源稳压等电子设备领域 。
2. 绝缘栅双极型场效应管 （Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）： IGBT是一种复合功率半导体器件，主要由N-沟道MOSFET和P型基极组成构成。它有四个电极—发射极E、集电极C以及两个门极G1和G2/T。由于结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低击穿电压的优势，IGBT在高压、大电流的电力电子装置方面有着广泛应用如变频器、逆变器和大功率电源等系统设备上。。
场效应管是一种晶体管器件，具有电压控制电流放大功能的特点。它广泛应用于电子电路、计算机及通信等领域中作为开关和放大器元件使用。根据其结构特点和工作原理，可以分为结型场效应管 (JFET) 和绝缘栅双极性场效应管 (IGBT)。下面将详细介绍它们的类型和应用场合:
1. 结型场效应管(JFET) : JFET一般有三只电极——漏极D、源极S和栅极G；其中，G极与D极之间有一个PN结。JFET属于单向导电性半导体器件，导通时电阻较大且呈非线性特性;截止时有反向泄漏电流存在但较小。应用场景有音频放大器和电源稳压等电子设备领域 。
2. 绝缘栅双极型场效应管 （Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）： IGBT是一种复合功率半导体器件，主要由N-沟道MOSFET和P型基极组成构成。它有四个电极—发射极E、集电极C以及两个门极G1和G2/T。由于结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低击穿电压的优势，IGBT在高压、大电流的电力电子装置方面有着广泛应用如变频器、逆变器和大功率电源等系统设备上。。